Molekularstrahl-Epitaxie, oder MBE, ass eng nei Technik fir héichqualitativ dënn Kristallschichten op Kristallsubstrater ze wuessen. Ënner ultrahéijen Vakuumbedingungen, andeems en Heizuewen mat all méiglechen néidegen Komponenten ausgestatt ass, fir Damp ze generéieren. Duerch Lächer, déi nom Kolliméiere vum Atom- oder Molekularstrahl geformt ginn, gëtt den Atomstrahl direkt op déi entspriechend Temperatur vum Eenkristallsubstrat injizéiert. Gläichzäiteg kontrolléiert de Molekularstrahl-Scan op d'Substrat, wouduerch d'Molekülen oder d'Atomer an den Kristallausriichtungsschichten en dënnen Film um Substrat "wuesse" kënnen.

Fir den normale Betrib vun MBE-Ausrüstung ass et néideg, datt flëssege Stéckstoff mat héijer Rengheet, nidderegem Drock an ultra-reinem kontinuéierlech a stabil an d'Killkammer vum Ausrüstung transportéiert gëtt. Am Allgemengen huet en Tank, deen flëssege Stéckstoff liwwert, en Ausgangsdrock tëscht 0,3 MPa an 0,8 MPa. Flëssege Stéckstoff bei -196 ℃ verdampft beim Transport an der Pipeline liicht zu Stéckstoff. Soubal de flëssege Stéckstoff mat engem Gas-Flëssegkeetsverhältnis vu ronn 1:700 an der Pipeline vergast ass, hëlt en e groussen Deel vum flëssege Stéckstoff-Flossraum an a reduzéiert den normale Floss um Enn vun der flësseger Stéckstoff-Pipeline. Zousätzlech ass et wahrscheinlech, datt am flëssege Stéckstoff-Späichertank nach Dreck ass, dat net gereinegt gouf. An der flësseger Stéckstoff-Pipeline féiert d'Existenz vu fiichter Loft och zur Bildung vun Äisschlack. Wann dës Ongereinheeten an d'Ausrüstung entlooss ginn, verursaacht dat onberechenbar Schied un der Ausrüstung.

Dofir gëtt de flëssege Stéckstoff am Späichertank dobaussen mat héijer Effizienz, Stabilitéit a Rengheet an den niddregen Drock, kee Stéckstoff, keng Ongereinheeten, 24 Stonnen onënnerbrach, an esou e Transportkontrollsystem ass e qualifizéiert Produkt.