De Chip MBE Projet, deen an de leschte Jore ofgeschloss gouf

Technologie

Molekularstrahl-Epitaxie, oder MBE, ass eng nei Technik fir héichqualitativ dënn Kristallschichten op Kristallsubstrater ze wuessen. Ënner ultrahéijen Vakuumbedingungen, andeems en Heizuewen mat all méiglechen néidegen Komponenten ausgestatt ass, fir Damp ze generéieren. Duerch Lächer, déi nom Kolliméiere vum Atom- oder Molekularstrahl geformt ginn, gëtt den Atomstrahl direkt op déi entspriechend Temperatur vum Eenkristallsubstrat injizéiert. Gläichzäiteg kontrolléiert de Molekularstrahl-Scan op d'Substrat, wouduerch d'Molekülen oder d'Atomer an den Kristallausriichtungsschichten en dënnen Film um Substrat "wuesse" kënnen.

Fir den normale Betrib vun MBE-Ausrüstung ass et néideg, datt flëssege Stéckstoff mat héijer Rengheet, nidderegem Drock an ultra-reinem kontinuéierlech a stabil an d'Killkammer vum Ausrüstung transportéiert gëtt. Am Allgemengen huet en Tank, deen flëssege Stéckstoff liwwert, en Ausgangsdrock tëscht 0,3 MPa an 0,8 MPa. Flëssege Stéckstoff bei -196 ℃ verdampft beim Transport an der Pipeline liicht zu Stéckstoff. Soubal de flëssege Stéckstoff mat engem Gas-Flëssegkeetsverhältnis vu ronn 1:700 an der Pipeline vergast ass, hëlt en e groussen Deel vum flëssege Stéckstoff-Flossraum an a reduzéiert den normale Floss um Enn vun der flësseger Stéckstoff-Pipeline. Zousätzlech ass et wahrscheinlech, datt am flëssege Stéckstoff-Späichertank nach Dreck ass, dat net gereinegt gouf. An der flësseger Stéckstoff-Pipeline féiert d'Existenz vu fiichter Loft och zur Bildung vun Äisschlack. Wann dës Ongereinheeten an d'Ausrüstung entlooss ginn, verursaacht dat onberechenbar Schied un der Ausrüstung.

Dofir gëtt de flëssege Stéckstoff am Späichertank dobaussen mat héijer Effizienz, Stabilitéit a Rengheet an den niddregen Drock, kee Stéckstoff, keng Ongereinheeten, 24 Stonnen onënnerbrach, an esou e Transportkontrollsystem ass e qualifizéiert Produkt.

tcm (4)
tcm (1)
tcm (3)

Passend MBE-Ausrüstung

Zënter 2005 optimiséiert a verbessert HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) dëst System a kooperéiert mat internationalen Hiersteller vun MBE-Ausrüstung. Hiersteller vun MBE-Ausrüstung, dorënner DCA, REBER, hunn kooperativ Bezéiunge mat eiser Firma. Hiersteller vun MBE-Ausrüstung, dorënner DCA a REBER, hunn un enger grousser Zuel vu Projeten zesummegeschafft.

Riber SA ass e féierende weltwäite Fournisseur vu molekulare Strale-Epitaxie (MBE) Produkter a verwandte Servicer fir d'Fuerschung iwwer Verbindungshalbleiter an industriell Uwendungen. Den Riber MBE Apparat kann ganz dënn Schichten vu Material um Substrat ofsetzen, mat ganz héije Kontrollen. D'Vakuumausrüstung vun HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) ass mat Riber SA ausgestatt. Déi gréisst Ausrüstung ass de Riber 6000 an déi klengst ass de Compact 21. Si ass a guddem Zoustand a gouf vu Clienten unerkannt.

DCA ass déi weltwäit féierend Oxid-MBE (Mobile Bearbechtungssystem fir Flëssegstéckstoff). Zënter 1993 gëtt eng systematesch Entwécklung vun Oxidatiounstechniken, Antioxidant-Substratherhëtzung an Antioxidantquellen duerchgefouert. Aus dësem Grond hunn vill féierend Laboratoiren d'DCA-Oxidtechnologie gewielt. Komposit-Halbleiter-MBE-Systemer ginn weltwäit benotzt. De VJ-Zirkulatiounssystem fir flëssege Stéckstoff vun HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) an d'MBE-Ausrüstung vu verschiddene Modeller vun DCA hunn déiselwecht Erfahrung a ville Projeten, wéi zum Beispill de Modell P600, R450, SGC800 etc.

tcm (2)

Leeschtungstabell

Shanghai Institut fir Technesch Physik, Chinesesch Akademie vun de Wëssenschaften
Den 11. Institut vun der China Electronics Technology Corporation
Institut fir Hallefleiter, Chinesesch Akademie vun de Wëssenschaften
Huawei
Alibaba DAMO Akademie
Powertech Technologie Inc.
Delta Elektronik Inc.
Suzhou Everbright Photonik

Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 26. Mee 2021

Schreift Är Noriicht